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硅衬底石墨烯薄膜

作者:    浏览次数:2689    发布日期:2016-05-16

产品简介:该产品为将石墨烯薄膜转移至Si/SiO2及Si基底上的一种产品形式,具有高电导率、高迁移率、半导体基底、良好的导热等性质,可用于电子元件(FET,MENMS等)、生物芯片、电极材料等使用。

规格参数:

产品特性:

◆ 外观均匀,无杂质

◆ 方阻均匀稳定

◆ 石墨烯单晶尺寸均匀,缺陷少

应用领域

■ 高速晶体管

■ MEMS

■ 生物芯片

■ 气体传感器和应变传感器

使用建议

● 保存条件:温度25-30℃,湿度不低于65% RH

● 禁止采用超声等接触式清洗过程

● 可根据器件的要求对其进行P型或者N型掺杂;

● 可根据所需的器件要求进行图案化等操作。